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SVF7N65F士兰微一级代理商
SVF7N65FT是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.良好的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.
SVF7N65FT可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.
SVF7N65FT的特点:
SVF7N65FT 7A,650V,Rds(on)(典型值）=1.1欧@Vgs=10V
SVF7N65FT低栅极电荷量
SVF7N65FT低反向传输电容
SVF7N65FT开关速度快
SVF7N65FT提升了DV/DT能力
SVF7N65FT前辍尾辍命名规则:
SVF7N65FT的分类:
SVF7N65FT的极限参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
SVF7N65FT热阻特性:
SVF7N65FT电性参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
SVF7N65FT源-漏二极管特性参数: 
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